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文档说明：客户在使用 STM32G474RE 进行产品开发的时候，操作系统软件使用了 RT-Thread5.0,同时由于要做 ClassB 认证，所以在 RT-Thread 系统上，移植了 ClassB 2-3-0 版本安全库。用户程序另外一个功能是固件升级，在调试固件升级程序的过程中，发现一旦执行了 ClassB 的启动自检，就会出现固件升级失败。调试发现，固件升级失败的原因是写 Flash 的时候发现 Flash 状态寄存器的错误标志被置位，导致 Flash 写操作失败。客户根据现此象反馈 ClassB 的自检
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文档说明：有客户反馈，在使用 STM32H5 读取温度传感器校准值地址时，会进入 HardFault，而在其他系列芯片中读取这个参数时并没有此现象。在 NUCLEO-H563ZI 开发板上去复现此问题，发现只有开启 ICACHE 后才会复现，初步验证说明进入 HardFault 与 ICACHE 相关，如果直接关闭ICACHE 虽然可以解决进入 HardFault 的问题，但势必会影响代码执行的效率。所以，我们希望能找到一种更好的方式去处理此问题。
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文档说明：本文档就是根据 X-CUBE-DISPLAY 3.0 所提供的 Flash Loader 工程，以 NUCLEO-STM32G474+GFX01M2 开发板为例，介绍了 STM32CubeIDE、KEIL、IAR 等不同编译器利用 X-CUBE-DISPLAY 所提供的 API 来生成外部 Flash Loader 的方法。
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文档说明：本技术文档主要解决客户反应 STM32L4R9 同 QSPI Flash 通讯，测出来的读取速率为 10MB/s， 和理论值相差较大。
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文档说明：客户使用 STM32G474 系列芯片，在烧录应用程序的同时要对 Option Bytes 中的 DBANK进行修改，采用 STlink Utility 或是 CubeProgrammer 工具进行操作，并希望整个过程只用一次烧录动作就完成，发现烧录的应用程序无法运行。
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文档说明：客户使用 STM32H750VBT6，通过 QSPI 外扩了一个 4M 的 NOR FLASH，采用 memory map 模式。当程序跳转运行到外设 FLASH 后，大约两个小时后程序死机。客户使用的 IDE 是 KEIL，此问题可以固定重现。 在 KEIL 调试模式下重现问题时，通过多次观察发现，程序死的位置总体上会停在两个位置，并不是同一个位置。一个是 TIM15函数的入口；另一个是进入中断函数后的一个赋值语句。
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文档说明：某客户在项目开发中用到STM32L462 的SDMMC 接口去进行SD 卡的读写，发现用SDMMC中断、 Polling 查询的方式都可以进行连续的读写交替循环操作，但是用DMA 的方式进行该操作时，发现不能进行多次的读写。
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文档说明：我们在做基于 STM32芯片开发LWIP功功能时，往往会用到PING命令做基本的功能性验证测试，这里就聊聊相关应用话题。
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文档说明：在一些新的 STM32 系列中，比如 STM32L4、STM32G0、STM32G4 等，除了 Flash 标准编程之外，还可以支持 Flash 的快 速编程，那么对于 STM32G0 来说，在使用快速编程时，有哪些需要注意的地方呢？
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文档说明：一些应用中，涉及到对存储设备的数据访问，例如uSD卡、U盘。具备USB OTG控制器的STM32，可以实现对U盘访问的支持。本文介绍STM32对于U盘访问的硬件/软件实现。介绍如何利用STM32CubeMX，一步一步实现STM32访问U盘。仅需要简单的几个步骤， 实现U盘访问的应用开发。
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文档说明：客户反馈在使用STM32F412的时候，擦除sector 8~11发现时间过长，从而导致意外触发IWDG复位。
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文档说明：STM32提供了灵活多样的外扩存储器访问实现。本文中，介绍如何利用QSPI (QuadSPI) 外扩串行NOR Flash存储器。首先对QSPI接口功能特性进行介绍，然后分别介绍硬件设计和软件开发。并基于STM32CubeMX，提供访问MICRON N25Q128A13EF840F的实现参考。
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文档说明：STM32F769AI 通过STM32CubeMX 进行外设配置时无法同时使能QSPI（Single Bank with Quad SPI Line）和FMC（Mux Mode 128Mb Nor Flash，字宽16 位）。初步判断由引脚冲突引起，但由于产品尺寸的限定，只能使用WLSCP封装的MCU，不能通过使用更大封装的MCU 来解决问题。结论：由于WLSCP 封装的STM32F769AI 无法通过不同的GPIO 映射出FMC_A23 和QUADSPI_BK1_IO2，因此 STM32CubeMX无法
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文档说明：有客户在使用CCM RAM的过程中遇到了问题。客户用的是STM32F427芯片，程序将CSTACK放在CCM RAM中，结果测试过一段时间的板子都出现了不能正常运行的情况。这个现象一度让我们怀疑是否是CCM RAM在测试过程中遭到了破坏，也导致我们在解决问题的道路上浪费了不少时间。事实证明我们的CCM RAM并没有那么脆弱，而解决问题时多从多个角度进行验证，不要放过所有的出问题的可能性也很重要。出问题的原因我会在本文中进行解释。但在具体讨论这个问题之前，我想先介绍一下STM32F427这款芯片上的CCM
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文档说明：在我们对STM32进行编程的时候,都会用到变量,因为我们的MCU是32位的,所以在申请变量的时候,就会存在变量长度不一致,需要对齐的问题.这个变量长度对齐的问题,小则可以只是影响代码执行的效率,大则会出现系统hard-fault的问题.下面我们将详细的解说这个问题.
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文档说明：本篇讨论了 一个STM32F2在用户产品进行高低温测试死机的例子。
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文档说明：LwIP在lwipopts.h和opt.h头文件中提供了多个配置选项。用户可以根据不同的性能需求和不同应用的内存限制对协议栈用到的内存配置进行调节。Opt.h头文件中包括协议使能和设置，内存设置，调试选项等等。而Lwipopts.h头文件中集合了opt.h中一些常常需要改动的部分。一般情况下用户对lwipopts.h头文件进行修改就可以了。不管是对lwipopts.h还是opt.h进行修改，都必须保证是在已经对你所改动的内容足够的了解的情况下进行，所做的改动是正确的，否则有可能导致协议栈不能正常工作，或者
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文档说明：在合计智能穿戴应用的时候，为了更好的用户体验和丰富的人机交互界面，需要更多的存储(RAM 和FLASH)来存储自定义的图片资源 ;由于可穿戴类的产品体积都非常小，因此FLASH&PSRAM;集成在一起的MCP 存储芯片是一个不错的选择。我们的STM32 FMC 外设是可以支持MCP 存储芯片的，而且只需要简单的配置就可以实现MCP 的访问。
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文档说明：客户反映，某产品试生产时出现问题，故障率在10%左右。该故障可以复现，并且将芯片（MCU）更换到新的电路板也无法解决。因此，客户怀疑是芯片出现质量问题。本篇LAT的内容简介了一个由RAM上电后初始值引起的问题。
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文档说明：该问题由某客户提出，发生在STM32F407IGT6 器件上。据其工程师讲述：在其产品设计中使用了STM32 的以太网接口进行通信。在软件最初的调试中，该接口工作正常。后来为了满足软件对内存容量的需求，启用了STM32 的CCM 存贮器，但启用后发现以太网接口不能通信。
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文档说明：该问题由某客户提出，发生在 STM32F103VDT6 器件上。据其工程师讲述：在该公司的某型号产品的设 计中用到了 STM32F103VDT6 器件，而其软件的设计采用了 IAP+APP 的架构。IAP 是一段 BOOT 程序， 负责对硬件进行初始化以及在接到相关指令的情况下更新 APP 程序，而 APP 程序则负责对常规业务 处理。在 STM32 启动后，IAP 首先运行。在初始化硬件之后，检查是否有更新 APP 的指令，如果 有，则更新 APP，如果没有，则跳转到 APP。APP 对常规业务进行处理
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文档说明：该问题由某客户提出，发生在 STM32F407IGT6 器件上。据其工程师讲述：为了满足软件对大容量内存的需求，将软件中的部变量从内部 SRAM 转移到片外的 SRAM当中。而这一改变，导致该软件不能运行，每次复位后，随即便发生死机。在此之前，对 FSMC 的初化代码，以及片外 SRAM 的读写匀做过测试，并确认是没有问题的。
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文档说明：该问题由某客户提出，发生在 STM32F103VBT6 器件上。据其工程师讲述：其产品中使用了 STM32，已批量生产。其部分产品在交予客户使用一段时间之后出现故障。其工程师在对故障产品进行分析时发现，STM32 的 Flash 中部分数据丢失，原数据皆被0xFF 取代。丢失数据的 Flash 区间的地址不固定，大小也不固定，呈一定随机性。该现象只在车载环境下发生，而在实验室无法复现。
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文档说明：有时候我们需要将一部分程序从FLASH拷贝到RAM中运行，以提高程序运行的速度。本文基于IAR Embedded Workbench列出了一些方法，可以在系统启动时自动从FLASH中将这部分程序拷贝到RAM中运行。本文中所有例子都是在IAR v7.2下，基于STM32F334完成的。
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文档说明：嵌入式设计中使用RTOS必然会带来额外的RAM消耗，然而许多初次接触RTOS的工程师并不清楚如何评估RAM的消耗量。这篇文档以FreeRTOS为例，介绍评估RAM使用情况的一般方法，并给出在FreeRTOS下优化RAM使用的方法，也由衷的期望读者在使用其他RTOS时，可以通过相似的思路来解决问题。
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文档说明：该问题客户提出，发生在STM32F103VDT6 器件上。据其工程师讲述：在其产品设计中，使用了STM32 片上Flash 模拟了一个EEPROM 的功能，用于存贮数据。在软件调试时，发现开启此功能，会影响到USART 通信，导致偶尔发生个别数据接收不到的现象。
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文档说明：客户反映使用外扩SDRAM运行程序（使用链接器将code存放在SDRAM中，与编译器无关，采用GCC或者IAR都有这个问题）出错，Hard Fault发生。
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文档说明：某客户工程师在其产品的设计中，使用了 STM32L152RBT6。该工程师打算在烧写程序之前，往 STM32L100 里边的 EEPROM 预置一些数据，没想到什么好的办法。他在网上搜了一下其他人的做法，发现大家基本上都是使用程序代码的方式，在第一次运行程序的时候，使用程序对 EEPROM 进行编程达到预置的目的。他觉得这不是最适合他的方法，于是请教是否还有其他更方便的方法。
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文档说明：当客户遇到存储小量的数据，同时数据写的频率比较低的情况下。从成本角度希望省掉外置 EEPROM， STM32 提供了 Backup SRAM(4K)和 Flash 模拟 EEPROM 两种方案来解决该问题。但是，Backup SRAM 需要提供备用电源，Flash 模拟 EEPROM 又比较浪费空间（存放复杂的结构体数据也不方便）。 如果数据擦写频率较低（Flash 擦写次数有限），可以考虑直接将数据存放在 Flash 中。本文提供了如 何在 IAR6.5 实现该操作。
